2024.10 - 중이온과 펄스 레이저를 이용한 피시험 반도체 소자의 내방사선 평가 방법 [link]
본 발명에 따른 피시험 반도체 소자의 내방사선 평가 방법은, 피시험 반도체 소자를 중이온 장비에 제공하여 베이스 구간의 선형에너지전달(LET, linear energy transfer) 값에 따른 상기 피시험 반도체 소자의 단면적(cross section, σ) 값을 측정하는 단계, 상기 피시험 반도체 소자를 펄스 레이저 장비에 제공하고, 레이저 에너지 값에 따른 상기 피시험 반도체 소자의 단면적 값을 측정하는 단계, 및 상기 펄스 레이저 장비에 제공된 상기 레이저 에너지 값을 상기 선형에너지전달 값으로 변환시켜, 상기 베이스 구간을 제외한 나머지 구간의 선형에너지전달 값에 따른 상기 피시험 반도체 소자의 단면적 값을 유추하는 단계를 포함할 수 있다.
2023.03 - 알파입자를 포함하는 빔을 이용한 반도체 소자의 검사 장치 [link]
반도체 소자의 검사 장치가 제공된다. 피시험 반도체 소자가 배치되는 스테이지, 상기 스테이지 상에 배치되어, 상기 피시험 반도체 소자로, 알파입자를 포함하는 빔을 조사하는 알파입자 선원, 및 상기 스테이지와 인접하게 배치되어, 상기 알파입자 선원에서 조사되는 상기 빔의 조사 각도를 제어하는 빔 제어부를 포함하는 반도체 소자의 검사 장치에 있어서, 상기 알파입자 선원에서 조사되는 상기 빔의 조사 각도를 정밀하게 제어할 수 있어, 상기 피시험 반도체 소자에 대한 검사가 용이하게 수행될 수 있다.
2022.07 - 기준 반도체 소자를 이용한, 반도체 소자의 방사선 평가 방법, 반도체 소자의 방사선 평가 시스템, 빔의 특성 평가 방법, 및 빔의 특성 평가 시스템 [link]
반도체 소자의 방사선 평가 방법이 제공된다. 상기 반도체 소자의 평가 방법은, 테스트 보드를 준비하는 단계, 상기 테스트 보드의 테스트 영역 내에, 기준 피시험 반도체 소자 및 비기준 피시험 반도체 소자를 포함하는 복수의 피시험 반도체 소자를 배치하는 단계, 상기 테스트 보드의 상기 테스트 영역으로, 방사선 테스트 빔을 조사하여, 상기 테스트 빔에 의한 복수의 상기 피시험 반도체 소자의 에러 값을 측정하는 단계, 상기 기준 피시험 반도체 소자의 기준 에러 값 및 상기 기준 피시험 반도체 소자의 측정된 에러 값을 이용하여, 에러 보정 값을 계산하는 단계, 및 상기 에러 보정 값을 이용하여 상기 비기준 피시험 반도체 소자의 측정된 에러 값으로부터, 상기 비기준 피시험 반도체 소자의 기준 에러 값을 계산하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 빔 특성 제어보드를 이용한 피시험 반도체 소자의 민감 영역, 에너지별 에러 단면도, 및 브래그 피크 위치 정보를 구할 수 있다.
2022.07 - 반도체 소자의 방사선 평가 방법, 및 반도체 소자의 방사선 평가 시스템 [link]
반도체 소자의 평가 시스템이 제공된다. 테스트 보드에 배치된 피시험 반도체 소자에 대해서 방사선 테스트 빔을 조사하여 상기 피시험 반도체 소자의 에러 값을 측정하는 상기 반도체 소자의 평가 시스템에 있어서, 상기 피시험 반도체 소자는, 기준 피시험 반도체 소자 및 일반 피시험 반도체 소자를 포함하고, 상기 반도체 소자의 평가 시스템은, 상기 기준 피시험 반도체 소자의 기준 에러 값, 및 상기 일반 피시험 반도체 소자의 기준 에러 값을 도출하되, 상기 일반 피시험 반도체 소자의 기준 에러 값은, 상기 기준 피시험 반도체 소자의 기준 에러 값에 대한 상대적인 비율로 정의될 수 있다.