TID(Total Ionizing Dose effect) - 총 이온화 선량 효과

감마선과 같은 방사선에 의해서 점진적으로 반도체의 특성에 변화를 가져오는 효과가 TID인데, CMOS소자의 경우는 절연층에 이온화 선량의 의해서 생성된 전하가 트래핑(Charge Trapping)되거나 결정 구조에 결함을 만들 수 있습니다. 게이트 산화물의 두께가 얇아짐에 따라 게이트 스택의 방사선 효과가 훨씬 더 낮아지지만 그럼에도 불구하고 전도성 채널을 둘러싸고 있는 두꺼운 절연 산화물에서 여전히 손상과 이온 트래핑이 발생할 수 있습니다. 일반적으로 중성자 가속 평가나 해면 고도에서 중성자에 의한 총 이온화 선량 효과는 무시헐 수 있으나, 극저온 중성자와 열 중성자는 점진적으로 반도체 특성 변화를 유발하는 것으로 잘 알려져 있습니다. 또한, LET에 단일 에너지 빔의 입자 선량을 곱하면 이온화를 통해 질량 단위당 증착된 총 에너지 양을 얻을 수 있는데 이를 TID라고 합니다.